TRANSISTOR FCP11N60/FQPF TO-220F

Transistor MOSFET de potência FCP11N60 / FQPF11N60, tipo N-Channel, projetado para aplicações de alta tensão e chaveamento rápido. Possui tensão de dreno-fonte de até 600V e corrente contínua de 11A, oferecendo baixa resistência de condução e alta eficiência em circuitos eletrônicos.

O componente é encapsulado em TO-220F (isolado), facilitando a dissipação térmica e a montagem em dissipadores sem necessidade de isoladores adicionais. É amplamente utilizado em fontes chaveadas, inversores, fontes de alimentação, controle de motores, drivers de LED e equipamentos industriais.

Principais Características:

Tipo: MOSFET N-Channel

Tensão Dreno-Fonte (Vds): 600V

Corrente de Dreno (Id): 11A

Resistência Rds(on): ≈0,38Ω

Encapsulamento: TO-220F (isolado)

Temperatura de operação: -55°C a +150°C

Alta velocidade de chaveamento

Ideal para aplicações de potência e fontes chaveadas